1.微机械剥离法： 石墨烯的制备首先采用微机械剥离的方法。微机械剥离法是将高度取向的热解石墨片用透明胶带压在其他表面进行多次剥离，最终得到单层或多层石墨烯。2004年，Geim、Novoselov等人通过该方法在国际上首次获得单层石墨烯，证明了室温下可以存在二维晶体结构。 2.外延生长法： 外延生长方法包括碳化硅外延生长法和金属催化外延生长法。SiC外延生长法是指在高温下加热SiC单晶，使SiC表面的Si原子从表面蒸发分离，剩余的C原子通过自组织形式重构，从而获得基于SiC衬底的石墨烯。 3.化学气相沉淀CVD法： CVD被认为是制备高质量、大面积石墨烯薄膜最有前途的方法，是石墨烯薄膜工业化生产最有潜力的方法。化学气相沉淀CVD法的具体过程是：将甲烷、乙醇等碳氢化合物引入高温加热的金属基底Cu、Ni表面，反应持续一定时间后冷却。在冷却过程中，衬底表面会形成多层或单层石墨烯，包括碳原子在衬底上的溶解和扩散生长两部分。该方法与金属催化外延生长法类似，优点是可以在较低温度下进行，从而降低了制备过程中的能耗，并且通过金属的化学蚀刻可以很容易地将石墨烯与衬底分离，有利于石墨烯的后续加工。 4.氧化石墨还原法： 氧化石墨还原法也被认为是目前制备石墨烯最好的方法之一。该方法具有操作简单、制备成本低、可大规模制备石墨烯等优点，成为制备石墨烯的有效途径。此外，该方法还有一个优点，即可以生产功能化石墨烯--氧化石墨烯，同样具有广泛的应用前景。